Infineon розробила GaN-транзистори для базових станцій 5G

2015-09-13 08:00
На думку аналітиків, головним стимулом переходу на транзистори з нітриду галію (GaN) на підкладках з карбіду кремнію (SiC) стануть електромобілі.

© 2010 - 2024. Всі права захищено.