КИЇВ. 25 Нобре. УНН. Американські вчені створили накопичувач пам\'яті товщиною в один атом. Щільність запису інформації на такий накопичувач приблизно в 100 разів більша, ніж у сучасних флеш-накопичувачів. Статтю з описом пристрою опублікував науковий журнал Nature Nanotechnology, повідомляє УНН.